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berita emas:
- 自支撑GaN单晶的HVPE生长及加工研究 - wanfangdata. com. cn
本文采用HVPE法生长GaN单晶，主要对生长条件进行了优化，通过制备低应力缓冲衬底，成功生长出应力状态均匀的GaN单晶，提高了器件的性能;利用调控生长模式多步直接生长的方法得到了自支撑GaN单晶，为GaN同质衬底的获得提供了可能;对GaN单晶的加工进行了系统
- 自支撑GaN单晶的HVPE生长及加工研究 - 道客巴巴
分类号：TN304．2 单位代码：10422 密级： 学号：201511945 SHANDONG UNIVERSITY 博士学位论文 Dissertation for Doctoral Degree 论文题目：自支撑GaN单晶的HVPE生长及加工研究 Study on HVPE Growth and Processing of Freestanding GaN Crystal 作者姓名 胡海啸 培养单位晶体材料研究所 专业名称 材料
- GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展 - jim. org. cn
氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE)方法因生长设备简单、生长条件温和和生长速度快而成为制备GaN晶体的主流方法。由于普遍使用石英反应器, HVPE法生长获得的非故意掺杂GaN不可避免地存在施主型杂质Si和O, 使其表现出n型半导体特性, 但载流子浓度高和
- HVPE GaN 的研究 - Researching
同时通过二维的 Wulff结构图研究了GaN生长过程中晶面的变化趋势。宽周期掩膜法对于生长可剥离的低位错密度自支撑GaN有着 重大意义。 关键词:自支撑GaN;侧向外延;氢化物气相外延;宽周期掩膜法;半导体
- HVPE生长自支撑GaN单晶及其性质研究 - 百度学术
GaN是一种非常重要的直接带隙宽禁带半导体材料,被广泛应用于光电子器件和电力电子器件 但是由于缺乏GaN单晶衬底,目前大部分GaN基器件都是在异质衬底上制备的,而二者之间存在的晶格失配和热失配导致GaN外延层中的位错密度较高,这大大降低了GaN基器件的性能
- 自支撑GaN衬底的HVPE生长特性研究 - pku. edu. cn
hvpe是当前获得gan自支撑衬底最主要的方法,但仍然面临许多困难,如缺陷密度较高、翘曲严重、容易开裂、衬底不易分离等。 amp;amp;lt;br amp;amp;gt; 本文正是围绕如何克服这些问题展开研究工作,利用HVPE采用全新的生长方法和分离技术制备大面积、低缺陷密度GaN自
- HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究详细介绍_PDF电子图书下载_田媛, 著-302edu教育资源网
hvpe法生长自支撑gan单晶及其性质研究pdf电子书下载,本书主要结合作者在该领域的研究成果，介绍了获得高质量自支撑gan单晶的方法。 第二三章介绍了衬底及V III对GaN单晶生长动力学及晶体质量的影响，优化了GaN单晶生
- HVPE生长自支撑GaN单晶及其性质研究. pdf - 众赏文库
本论文的研究工作主要是优化HVPE生长GaN晶体的工艺，并采用低温缓冲层技术，分别在蓝宝石衬底和SiC衬底上生长自支撑GaN单晶。论文主要研究 3、工作如下: 1 研究了Ⅴ Ⅲ对GaN晶体质量和光电性质的影响，发现随着Ⅴ Ⅲ的增加，GaN单晶中的位错密度降低、残余
- GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展 - jim. org. cn
为了弥补非故意掺杂GaN电学性质的不足, 更好地利用GaN的特性, 需要对其进行高纯度生长或掺杂处理。通过对其掺杂可以获得不同半导体特性的GaN材料, 提高其电化学特性, 拓展其应用领域 。本文系统综述了GaN晶体的HVPE生长与掺杂的原理与最新研究进展, 介绍了
- HVPE生长自支撑GaN技术研究 - 豆丁网
本论文工作主要以制备自支撑GaN单晶为目标，分别对HVPE的系统设计、GaN 的生长原理和生长模式、高质量厚膜GaN生长的优化、及GaN特性的表征、自支撑 GaN的获得分别进行了论述与研究。 通过计算证实晶格失配和热胀失配是异质外延GaN中位错产生的主要原因，通过
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